華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院寸陽珂同學(xué)使用標(biāo)旗光電電致發(fā)光光譜儀（測量系統(tǒng)）開展發(fā)光材料方面的研究，采集到隨時間變化的三維動態(tài)光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)，在國際期刊《Journal of Materials Chemistry C》（2020年2月12日）上發(fā)表了題為“All-solution processsed high performance invered quantum dot”的高水平學(xué)術(shù)論文，影響因子6.64。 

摘要

    MOTFT具有高電子遷移率、低制造成本等優(yōu)點。倒裝QLEDs的陰極與n 型的MOTFT的漏極能夠直接連接，降低了驅(qū)動像素的電壓，具有n型MOTFT的QLEDs是有源矩陣驅(qū)動方案QLEDs的首選。然而，大多數(shù)倒裝QLEDs是通過溶液沉積的QDs層與真空蒸鍍的空穴傳輸層結(jié)合在一起制成的。與昂貴的真空工藝相比，溶液加工工藝的解決方案經(jīng)濟(jì)高效。針對全溶液倒裝QLEDs的技術(shù)難點，著力解決PEDOT: PSS無法在空穴傳輸材料上成膜以及空穴注入勢壘較大的問題。首次采用雙摻雜的PEDOT: PSS，在疏水性PVK層上形成光滑均勻的膜。在QDs/PVK引入了界面偶極層PEI，PEI的引入不僅形成界面偶極降低空穴注入勢壘，而且PEI中的胺基作為電子供體鈍化電子陷阱，抑制熒光猝滅。進(jìn)一步減小起亮電壓和提高了器件效率和穩(wěn)定性。全溶液倒裝RGB-QLEDs最大CE分別達(dá)到28.1 cd/A，43.1 cd/A和1.26 cd/A，最大EQE分別增加到20.6 %，10.4 %和2.95 %，最大亮度分別達(dá)到5.06×104 cd/m2，1.21×105 cd/m2和2.96×103 cd/m2。根據(jù)目前所報道的文獻(xiàn)，R-QLEDs的效率是全溶液倒裝R-QLEDs中最高的EQE之一。此外，R-QLEDs的壽命T50@ 100 cd/m2延長至8253小時，創(chuàng)造了全溶液倒裝R-QLEDs器件新的記錄。

儀器應(yīng)用